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通过对160个厘米级FETs的统计分析表明，改变器件成品率94%、迁移率变化为15%，由此进一步证明了C/A蓝宝石上的单晶MoSe2。自动站（c）C/A（红色）和C/M（蓝色）底物上反平行结构域的统计分布。

此外，化映翰通该方法还可以生长MoSe2单晶，表明其可以推广到其它许多2D材料。【图文解读】图一、网络完美蓝宝石（0001）基底与外延生长的关系（a,d）C/M和C/A蓝宝石（0001）晶片上的台阶取向以及相应的外延MoS2畴对齐。蓝宝石（晶状α-Al2O3）在III-V半导体工业中被广泛用作外延基底，沈阳其有一个六边形晶格，平面内a=b=4.76Å，平面外c=12.996Å，由六层交替的Al-O-Al原子组成。

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改变（b）AFM振幅图像说明畴边缘和表面台阶之间的关系。

（b）151个MoS2FET的传输特性，自动站距离（a）中标记区域的沟道长度为50μm。研究者发现当材料中引入硒掺杂时，化映翰通锂硫电池在放电的过程中长链多硫化物的生成量明显减少，化映翰通从而有效地抑制了多硫化物的穿梭效应，提高了库伦效率和容量保持率，为锂硫电池的机理研究及其实用化开辟了新的途径。

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